PBSS5160TVL دیتاشیت

PBSS5160T,215

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PBSS5160T,215
حجم فایل 62.166 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت PBSS5160T,215-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: Nexperia PBSS5160TVL
  • Transistor Type: PNP
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 1A
  • Power Dissipation (Pd): 400mW
  • Transition Frequency (fT): 220MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 200@1mA,5V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 100nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 60V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 120mV@500mA,50mA
  • Package: SOT-23(TO-236)
  • Manufacturer: Nexperia

محصولات مشابه